電源供應(yīng)裝置通過一升降機(jī)構(gòu)安裝在機(jī)座上并與控制裝置電連接；所述整體測量機(jī)構(gòu)包括一安裝在機(jī)座上的驅(qū)動電機(jī)、一連接在驅(qū)動電機(jī)上的傳動軸及一安裝在傳動軸的一端的接地端；所述擇點測量機(jī)構(gòu)包括一安裝在機(jī)座上的第二驅(qū)動電機(jī)、一對安裝在所述第二驅(qū)動電機(jī)上的第二傳動軸、一安裝在機(jī)座上并與所述第二傳動軸平行的滑軌及若干安裝在滑軌上的測點探針。背靶的選擇對材質(zhì)的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右導(dǎo)電性好：常用無氧銅，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低．并且容易發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。但是布線金屬本身易氧化、易與周圍的環(huán)境發(fā)生反應(yīng),與介質(zhì)層的粘結(jié)性差,易擴(kuò)散進(jìn)入Si與SiO2等器件的襯底材料中，并且在較低的溫度下會形成金屬與Si的化合物,充當(dāng)了雜質(zhì)的角色,使器件的性能大幅度下降。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
在鉑族金屬的應(yīng)用中，光學(xué)玻璃行業(yè)是鉑的重要的應(yīng)用領(lǐng)域，鉑是制造熔制光學(xué)玻璃的坩堝和攪拌器的必選材料，由于光學(xué)玻璃的特殊性，提出了對坩堝和攪拌器的更苛刻的適用要求，早在八十年代初期，國內(nèi)就有人提出了用彌散強(qiáng)化鉑來制作坩堝和攪拌器。
21世紀(jì)展現(xiàn)良好發(fā)展前景的納米技術(shù)，貴金屬由于它們的獨(dú)特優(yōu)異的物理化學(xué)性能，資源的稀缺性以及在已知的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大應(yīng)用和在未知領(lǐng)域的不斷開拓探索，成為納米技術(shù)早和相當(dāng)重要的研究對象之一。
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