對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。
此外，采用連續(xù)硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設(shè)法盡量達(dá)到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。
采用連續(xù)硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內(nèi)的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導(dǎo)電性填充劑的分散。
在使用電子照相方法的打印技術(shù)中，已經(jīng)漸進(jìn)實現(xiàn)高速打印操作、高質(zhì)量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化，并且變得很普遍。色粉一直是這些改進(jìn)的關(guān)鍵。為滿足上述需要，必須形成精細(xì)分配的色粉顆粒，使得色粉顆粒的直徑均一，并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細(xì)分配的色粉顆粒的技術(shù)，近已經(jīng)開發(fā)出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。當(dāng)含有氯原子的橡膠組分與離子導(dǎo)電的單體聚合時，導(dǎo)電輥具有較高的表面自由能并且容易弄濕。至于使色粉呈球形的技術(shù)，已經(jīng)開發(fā)出球形度99%以上的色粉。
各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性，且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：
熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。貴金屬提煉回收公司回收各式貴重金屬的企業(yè),同時可以在哪些地方回收到金屬廢料呢。
以上信息由專業(yè)從事貴金屬靶材工藝的東創(chuàng)貴金屬于2024/12/19 13:26:20發(fā)布
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